Silicon nitride bonded silicon carbide
Materyalên refraktîkî yên seramîk ên SiC-ê yên girêdayî Si3N4, bi toza SIC-a paqij a bilind û toza siliconê re tê tevlihev kirin, piştî qursa avêtina şemitandinê, reaksiyonê di binê 1400 ~ 1500 ° C de tê tevlihev kirin.Di dema qursa sinterkirinê de, nîtrojena paqij a bilind di firnê de dagirtin, wê hingê silicon dê bi nîtrojenê re reaksiyonê bike û Si3N4 çêbike, Ji ber vê yekê materyalê SiC ya girêdayî Si3N4 ji nîtrîda silicon (23%) û karbîd silicon (75%) wekî madeya xav a sereke pêk tê. , bi materyalê organîk ve tê tevlihev kirin, û bi tevlihevî, derxistin an rijandinê ve hatî çêkirin, dûv re piştî zuwakirin û nîtrojenkirinê têne çêkirin.
Taybetmendî û avantajên:
1.Htolerasyona germahiya bilind
2.High Germahî û berxwedana şokê
3.High hêza mekanîzmayî û berxwedana abrasion
4.Excellent karbidestiya enerjiyê û berxwedana korozyonê
Em hêmanên seramîk ên NSiC yên bi kalîte û rast-makînekirî yên ku ji hêla pêvajoyê ve têne çêkirin peyda dikin
1.Slip avêtin
2.Derkêşandin
3.Uni Axial Pressing
4.Pêşkêşkirina Îsostatîk
Daneyên materyalê
| > Pêkhatina Kîmyewî | Sic | Rêsakanî bekarhênan 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Azad Si | 0% | |
| Dendika mezin (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Poroziya xuya (%) | 12～15 | |
| Hêza bendkirinê li 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Hêza bendkirinê li 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Hêza bendkirinê li 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Hêza zextê li 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Germbûna germê li 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Rêjeya berfirehbûna germî li 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Berxwedana şoka termal | Pirrbidilî | |
| Max.germahî (℃) | 1600 | |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. dabînkerek pêşeng a seramîkên nîvconduktorê pêşkeftî ye û yekane hilberînerê li Chinaînê ye ku dikare di heman demê de seramîkên karbîd ên siliconê yên paqij-paqijî (bi taybetî SiC-ya Recrystallized) û pêlava CVD SiC peyda bike.Wekî din, pargîdaniya me ji zeviyên seramîk ên wekî alumina, nitride aluminium, zirconia, û silicon nitride, û hwd jî pabend e.
Berhemên me yên sereke di nav de: dîskê guheztina karbîdê silicon, kêşana keştiyê karbîd silicon, keştiya waferê karbîd silicon (Photovoltaic&Semiconductor), lûleya firna karbîdê silicon, çîpên karbîd ên silicon, çîpên karbîd silicon, tîrêjê karbîdê silicon TaVD û her weha tîrêjê CV û C jî rû.Berhemên ku bi giranî di pîşesaziyên nîvconductor û fotovoltaîk de têne bikar anîn, wekî amûrên ji bo mezinbûna krîstal, epitaxy, etching, pakkirin, pêlav û firaxên belavbûnê, hwd.
Pargîdaniya me xwedan alavên hilberînê yên bêkêmasî yên wekî şilkirin, sinterkirin, hilberandin, alavên xêzkirinê, hwd., ku dikare hemî girêdanên pêwîst ên hilberîna hilberê temam bike û xwedan kontrola kalîteya hilberê bilindtir e;Plana hilberîna çêtirîn dikare li gorî hewcedariyên hilberê were hilbijartin, di encamê de lêçûnek kêmtir dibe û ji xerîdaran re hilberên pêşbaztir peyda dike;Em dikarin bi nermî û bikêrhatî hilberînê li ser bingeha hewcedariyên radestkirina fermanê û digel pergalên rêveberiya fermana serhêl de plansaz bikin, ji xerîdaran re demek radestkirina zûtir û garantîkirî peyda bikin.
