Materyalên fotovoltaîk ên nîvconductor keştiya silicon carbide

Kurte Danasîn:

Semicera EnergyTechnology Co., Ltd.dabînkerek pêşeng e ku pisporê wafer û xercên nîvconductor yên pêşkeftî ye.Em ji bo hilberîna nîv-conductor hilberên kalîteya bilind, pêbawer û nûjen peyda dikin,pîşesaziya fotovoltaîkû qadên din ên têkildar.

Rêzeya hilberê me hilberên grafît û hilberên seramîk ên bi sic/TaC ve girêdayî ye, ku ji materyalên cihêreng ên wekî karbîd silicon, silicon nitride, û oxide aluminium û hwd vedihewîne.

Wekî dabînkerek pêbawer, em girîngiya xerckirinê di pêvajoya hilberînê de fam dikin, û em pêbawer in ku hilberên ku standardên kalîteya herî bilind bicîh bînin da ku hewcedariyên xerîdarên xwe bicîh bînin.


Detail Product

Tags Product

Silicon carbide celebek nû ya seramîkê ye ku bi lêçûnek bilind û taybetmendiyên materyalê yên hêja ye.Ji ber taybetmendiyên wekî hêz û serhişkiya bilind, berxwedana germahiya bilind, guheztina germî ya mezin û berxwedana korozyona kîmyewî, Silicon Carbide hema hema dikare li hember hemî navgînên kîmyewî bisekinin.Ji ber vê yekê, SiC bi berfirehî di kana neftê, kîmyewî, makîne û qada hewayî de tê bikar anîn, tewra enerjiya nukleerî û artêş daxwazên xwe yên taybetî li ser SIC hene.Hin serîlêdanên normal ên ku em dikarin pêşkêşî bikin zengilên mohrkirinê yên ji bo pomp, valve û cebilxaneya parastinê hwd.

Em dikarin li gorî pîvanên weya taybetî bi qalîteya baş û dema radestkirina maqûl sêwiran û hilberînin.

微信图片_20230719092847

Aavantajên:

Berxwedana oxidation germahiya bilind

Berxwedana Korozyonê ya hêja

Berxwedana Abrasion baş

Rêjeya berbi germê ya bilind
Xwe-rûnbûn, dendika kêm
Serhişkiya bilind
design Customized.

 

Serlêdan:

-Qada berxwedêr a liberxwedanê: çîçek, plak, çîçeka sandblasting, xêzkirina cyclone, bermîla qirkirinê, hwd...

-Qada germahiya bilind: Slabê siC, Tîra firnê ya qutkirî, lûleya tîrêjê, çîpek, hêmanên germkirinê, rûk, tîrêj, veguhezkarê germê, lûleya hewaya sar, nozê şewitandinê, lûleya parastina termocouplê, keştiya SiC, Struktura gerîdeya firnê, Setter, hwd.

-Qada gulebarana leşkerî

-Silicon Carbide Semiconductor: Keştiya waferê ya SiC, sic chuck, sic paddle, sic kaset, lûleya belavkirina sic, çenga wafer, plakaya şûştinê, rêwerz, hwd.

-Qada Seal Carbide Silicon: her cûre zengila morkirinê, hilgirtin, çîçek, hwd.

-Qada Fotovoltaîk: Padşa Kantilever, Bermîla Xirîn, Roller Karbîdê Silicon, hwd.

-Qada Pîlê Lithium

Keştiya krîstal a silicon carbide (3)

Parametreyên Teknîkî:

图片2

Daneyên materyalê

材料Mal

R-SiC

使用温度Germahiya xebatê (°C)

1600°C (氧化气氛Jîngeha oksîdan)

1700°C (还原气氛Kêmkirina jîngehê)

SiC含量naveroka SiC (%)

> 99

自由Si含量naveroka Si belaş (%)

< 0.1

体积密度Dendika mezin (g/cm3)

2.60-2.70

气孔率Poroziya xuya (%)

< 16

抗压强度Hêza perçiqandinê (MPa)

> 600

常温抗弯强度Hêza ziravkirina sar (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Hêza germbûna germ (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Rêjeya berfirehbûna germî @1500°C (10-6/°C)

4.70

导热系数Germahîbûna termal @1200°C (W/mK)

23

杨氏模量Modula Elastîk (GPa)

240

抗热震性Berxwedana şoka termal

很好Extremely baş


  • Pêşî:
  • Piştî: