Jiyana Karûbarê Dirêj Ji bo Wafera Rojê Gerînera Grafîtê ya SiC ya pêgirtî

Jiyana Karûbarê Dirêj Veguheztina Grafîtê ya SiC ya pêçandî Ji bo Wêneya Taybetmendî ya Wafera Rojê

Kurte Danasîn:

Silicon carbide celebek nû ya seramîkê ye ku bi lêçûnek bilind û taybetmendiyên materyalê yên hêja ye.Ji ber taybetmendiyên mîna hêz û serhişkiya bilind, berxwedana germahiya bilind, gihandina germî ya mezin û berxwedana korozyona kîmyewî, Silicon Carbide hema hema dikare li hember hemî navgînên kîmyewî rabe.Ji ber vê yekê, SiC bi berfirehî di kana neftê, kîmyewî, makîne û qada hewayê de tê bikar anîn, tewra enerjiya navokî û artêş daxwazên xwe yên taybetî li ser SIC hene.Hin serîlêdanên normal ên ku em dikarin pêşkêşî bikin zengilên mohrkirinê yên ji bo pomp, valve û cebilxaneya parastinê hwd.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Avantajên

Berxwedana oxidation germahiya bilind
Berxwedana Korozyonê ya hêja
Berxwedana Abrasion baş
Rêjeya bilind a germbûna germê
Xwe-rûnbûn, dendika kêm
Serhişkiya bilind
design Customized.

Applications

-Qada berxwedêr a liberxwedanê: çîçek, plak, çîçeka sandblasting, xêzkirina cyclone, bermîla qirkirinê, hwd...
-Qada germahiya bilind: Slabê siC, Tîpa firnê ya qunçkirinê, lûleya tîrêjê, çîpek, hêmana germkirinê, çîçek, tîrêj, veguhezkarê germê, lûleya hewaya sar, nozê şewitandinê, lûleya parastinê ya termocouplê, keştiya SiC, Struktura gerîdeyê, Setter, hwd.
-Silicon Carbide Semiconductor: Keştiya waferê ya SiC, sic chuck, sic paddle, sic kaset, lûleya belavkirina sic, çenga wafer, plakaya şûştinê, rêwerz, hwd.
-Qada Seal Carbide Silicon: her cûre zengila morkirinê, hilgirtin, çîçek, hwd.
-Qada Fotovoltaîk: Padşa Kantilever, Bermîla Xirîn, Roller Karbîdê Silicon, hwd.
-Qada Pîlê Lithium

WAFER (1)

WAFER (2)

Taybetmendiyên Fîzîkî yên SiC

Mal	Giranî	Awa
Density	3,21 g/cc	Sink-float û dimension
Germahiya taybetî	0,66 J/g °K	Fîşeka lazerê ya pêlkirî
Hêza Flexural	450 MPa560 MPa	4 xala bend, RT4 xala bend, 1300 °
Zehmetiya şikandinê	2,94 MPa m1/2	Microindentation
Hardness	2800	Vicker's, barkirina 500g
Modulusa Elastic Modula Ciwan	450 GPa430 GPa	4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C
Mezinahiya genim	2 - 10 μm	SEM

Taybetmendiyên Termal ên SiC

Têkiliya Termal	250 W/m °K	Rêbaza laser flash, RT
Berfirehkirina Termal (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Germahiya odeyê heya 950 °C, silica dilatometer

Parametreyên Teknîkî

Şanî	Yekbûn	Jimare
Şanî	Yekbûn	RBSiC (SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
naveroka SiC	%	85	75	99	99.9	≥99
Naveroka silicon belaş	%	15	0	0	0	0
Germahiya karûbarê herî zêde	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Density	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Poroziya vekirî	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Hêza qutbûnê 20℃	Мpa	250	160	380	100	/
Hêza qutbûnê 1200℃	Мpa	280	180	400	120	/
Modula elasticîteyê 20℃	Gpa	330	580	420	240	/
Modula elasticîteyê 1200℃	Gpa	300	/	/	200	/
Germbûna germê 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Rêjeya berfirehbûna termal	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Pîvana karbîdê silicon CVD li ser rûyê derveyî hilberên seramîk ên karbîd silicon ji nû ve krîstalîzekirî dikare bigihîje paqijiyek ji% 99.9999 zêdetir da ku hewcedariyên xerîdar di pîşesaziya nîvconductor de bicîh bîne.