Jiyana Karûbarê Dirêj Ji bo Wafera Rojê Gerînera Grafîtê ya SiC ya pêgirtî

Kurte Danasîn:

Silicon carbide celebek nû ya seramîkê ye ku bi lêçûnek bilind û taybetmendiyên materyalê yên hêja ye.Ji ber taybetmendiyên wekî hêz û serhişkiya bilind, berxwedana germahiya bilind, guheztina germî ya mezin û berxwedana korozyona kîmyewî, Silicon Carbide hema hema dikare li hember hemî navgînên kîmyewî bisekinin.Ji ber vê yekê, SiC bi berfirehî di kana neftê, kîmyewî, makîne û qada hewayî de tê bikar anîn, tewra enerjiya nukleerî û artêş daxwazên xwe yên taybetî li ser SIC hene.Hin serîlêdanên normal ên ku em dikarin pêşkêşî bikin zengilên mohrkirinê yên ji bo pomp, valve û cebilxaneya parastinê hwd.


Detail Product

Tags Product

Avantajên

Berxwedana oxidation germahiya bilind
Berxwedana Korozyonê ya hêja
Berxwedana Abrasion baş
Rêjeya berbi germê ya bilind
Xwe-rûnbûn, dendika kêm
Serhişkiya bilind
design Customized.

HGF (2)
HGF (1)

Applications

-Qada berxwedêr a liberxwedanê: çîçek, plak, çîçeka sandblasting, xêzkirina cyclone, bermîla qirkirinê, hwd...
-Qada germahiya bilind: Slabê siC, Tîra firnê ya qutkirî, lûleya tîrêjê, çîpek, hêmanên germkirinê, rûk, tîrêj, veguhezkarê germê, lûleya hewaya sar, nozê şewitandinê, lûleya parastina termocouplê, keştiya SiC, Struktura gerîdeya firnê, Setter, hwd.
-Silicon Carbide Semiconductor: Keştiya waferê ya SiC, sic chuck, sic paddle, sic kaset, lûleya belavkirina sic, çenga wafer, plakaya şûştinê, rêwerz, hwd.
-Qada Seal Carbide Silicon: her cûre zengila morkirinê, hilgirtin, çîçek, hwd.
-Qada Fotovoltaîk: Padşa Kantilever, Bermîla Xirîn, Roller Karbîdê Silicon, hwd.
-Qada Pîlê Lithium

WAFER (1)

WAFER (2)

Taybetmendiyên Fîzîkî yên SiC

Mal Giranî Awa
Density 3,21 g/cc Sink-float û dimension
Germahiya taybetî 0,66 J/g °K Fîşeka lazerê ya pêlkirî
Hêza Flexural 450 MPa560 MPa 4 xala bend, RT4 xala bend, 1300 °
Zehmetiya şikandinê 2,94 MPa m1/2 Microindentation
Hardness 2800 Vicker's, barkirina 500g
Modulusa Elastic Modula Ciwan 450 GPa430 GPa 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C
Mezinahiya genim 2 - 10 μm SEM

Taybetmendiyên Termal ên SiC

Têkiliya Termal 250 W/m °K Rêbaza laser flash, RT
Berfirehkirina Termal (CTE) 4,5 x 10-6 °K Germahiya odeyê heya 950 °C, silica dilatometer

Parametreyên Teknîkî

Şanî Yekbûn Jimare
RBSiC (SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
naveroka SiC % 85 75 99 99.9 ≥99
Naveroka silicon belaş % 15 0 0 0 0
Germahiya karûbarê herî zêde 1380 1450 1650 1620 1400
Density g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Poroziya vekirî % 0 13-15 0 15-18 7-8
Hêza qutbûnê 20℃ Мpa 250 160 380 100 /
Hêza qutbûnê 1200℃ Мpa 280 180 400 120 /
Modula elasticîteyê 20℃ Gpa 330 580 420 240 /
Modula elasticîteyê 1200℃ Gpa 300 / / 200 /
Germbûna germê 1200℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Rêjeya berfirehbûna termal K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

Pîvana karbîdê silicon CVD li ser rûyê derveyî hilberên seramîk ên karbîd silicon ji nû ve krîstalîzekirî dikare bigihîje paqijiyek ji% 99.9999 zêdetir da ku hewcedariyên xerîdar ên di pîşesaziya nîvconductor de bicîh bîne.

Wêne

WAFER (3)

WAFER (4)

WAFER (5) WAFER (6)


  • Pêşî:
  • Piştî: