Taybetmendiyên Hilbera SiC
Germahiya bilind û berxwedêr e, kalîteya wafer û hilberîneriyê baştir dike
SiC behsa karbîdê silicon dike.Silicon carbide (SiC) ji qûma quartz, kok û madeyên xav ên din bi helandina firna germahiya bilind tê çêkirin.Hilberîna pîşesazî ya heyî ya karbîdê silicon du celeb hene, karbîd silicon reş û karbîd silicon kesk.Her du krîstal hexagonal in, giraniya taybetî 3.21g / cm3, hişkiya mîkro ya 2840 ~ 3320kg / mm2.
Bi kêmî ve 70 celeb karbîdên sîlîkonê yên krîstal, ji ber gravîteya wê ya kêm 3.21g / cm3 û hêza germahiya bilind, ew ji bo bearing an madeyên xav ên firna germahiya bilind maqûl e.di her zextê de nikare bigihîje, û çalakiyek kîmyewî ya berbiçav kêm e.
Di heman demê de, gelek kesan hewl dane ku silicon bi karbîd silicon veguhezînin ji ber guheztina xweya germî ya bilind, hêza zeviya elektrîkê ya pelçiqandinê ya bilind û dendika herî zêde ya niha.Di van demên dawî de, di serîlêdana pêkhateyên hêza bilind a nîvconductor de.Di rastiyê de, substrate karbîd silicon di gihandina termal de, ji substrata yaqûtê zêdetirî 10 carî bilindtir e, ji ber vê yekê karanîna hêmanên LED-ê substrata karbîd a silicon, bi guheztinek baş û gerîdeya germî, ji bo hilberîna LED-a-hêza bilind nisbeten guncan e.
Parametreyên Teknîkî
