Danasîna hilberê
Pargîdaniya me pêşkêşî dikeÇêkirina SiCKarûbarên bi rêbaza CVD li ser rûyê grafît, seramîk û materyalên din ên pêvajoyê bikin, da ku gazên taybetî yên ku karbon û silicon dihewîne di germahiya bilind de bertek nîşan bidin ku molekulên SiC yên paqijiya bilind bistînin, molekulên ku li ser rûyê materyalên pêçandî hatine razandin, çê dibin.Tebeqeya parastinê ya SIC.
Taybetmendiyên sereke:
1. Berxwedana oksîdasyona germahiya bilind:
dema ku germahî bi qasî 1600 C be, berxwedana oksîdasyonê hîn pir baş e.
2. Paqijiya bilind: ji hêla hilweşandina vaporê kîmyewî ve di bin şerta klorîna germahiya bilind de hatî çêkirin.
3. Berxwedana erozyonê: serhişkiya bilind, rûbera tevlihev, perçeyên hûr.
4. Berxwedana korozyonê: asîd, alkali, xwê û reagentên organîk.
Taybetmendiyên sereke yên CVD-SIC Coating
| Taybetmendiyên SiC-CVD | ||
| Structure Crystal | Qonaxa β FCC | |
| Density | g/cm ³ | 3.21 |
| Hardness | Serhişkiya Vickers | 2500 |
| Mezinahiya genim | μm | 2~10 |
| Paqijiya Kîmyewî | % | 99.99995 |
| Kapasîteya germê | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Germahiya Sublimation | ℃ | 2700 |
| Hêza Felexural | MPa (RT 4-xala) | 415 |
| Modula Ciwan | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Berfirehkirina Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Germiya germî | (W/mK) | 300 |
-
Reaktora Epitaksial a Bi Germahiya Bilind B...
-
Bermîla grafîtê ya pêçandî ya SiC ji bo mezinbûna epitaxial
-
Amûrên teknolojiya lazerê ya LMJ microjet
-
Reaktora Epitaxial ya Nîvconductor SiC-Coated ji bo ...
-
Germakara grafît qada germ / zeviya germ a grafît, ca...
-
Reaksiyonê keştiya waferê ya karbîd a siliconê jihevkirî