SiC-Coated Graphite Susceptor ji hêla Semicera ve hatî çêkirin ku di hawîrdorên germahiya bilind de, ku heya 1700 °C radiweste. Ev susceptorê pêşkeftî bi karanîna grafît-paqijiya bilind tête çêkirin û bi karbîd silicon (SiC) bi pêvajoyek Depokirina Vahra Kîmyewî ya rastîn (CVD) ve tête çêkirin. Ew karanîna dirêj-dirêj bêyî pêşdebirina pinholan misoger dike, bi saya pêlava xweya zexm, xwerû ya ku li dijî pelçiqandinê radiweste.
Taybetmendiyên sereke:
- Berxwedana Germahiya Bilind:Dikare germahiyên heya 1700°C bisekine, ji bo sepanên nîvconduktorê îdeal e.
- No Pinholes:Ji bo gelek karanîna bêyî avakirina pinholan hatî çêkirin, performansa domdar peyda dike.
- Coating Durable:Kişandina SiC-a xwerû, di bin karanîna dirêj de jî, li hember pelçiqandinê pir domdar û berxwedêr e.
- Çareseriyên Xweser:Di mezinahî û taybetmendiyên cihêreng de peyda dibe ku daxwazên xerîdar ên taybetî bicîh bîne.
- Radestkirina bilez:Bi demek rêberiya 30-rojî, Semicera radestkirina biwext misoger dike da ku karûbarên we bi rêkûpêk bimeşîne.
- Mesref-bandor:Bihayê hevrikî bêyî ku li ser kalîteyê tawîz bide.
Serlêdan:
- Hilberîna Semiconductor:Ji bo karanîna di epitaxy, CVD, û pêvajoyên din ên germahiya bilind de îdeal e.
- Hilberîna LED:Germkirina yekgirtî û kalîteya pêlavê ya bilind misoger dike, rêjeyên kêmasiyê kêm dike.
- Elektronîkên Hêzê:Performansa û pêbaweriya amûrên hêza bilind zêde dike.
Çima Semicera Hilbijêre:
Semicera ji bo peydakirina çareseriyên semiconductor-kalîteya herî bilind e. Pisporên me yên grafîtê yên bi SiC-ê hatine sêwirandin ku standardên herî bilind ên domdarî û performansê bicîh bînin, ji bo serîlêdanên weyên germahiya bilind encamên çêtirîn peyda dikin.
-
Pîneyên SiC-ê ji bo pêvajoyên hilgirtina ICP-ê di ...
-
Carbide-Coated Reactor Barrel Reactor
-
Reaktora Bermîlê ya SiC ya pêgirtî ji bo Epîtaksiya Qonaxa Liquid
-
Keştiya waferê ya silicon carbide nîvconductor dikare bibe ...
-
Laser teknolojiya pêşkeftî ya LMJ microjet peyda bikin ...
-
Silicon Carbide Coated Graphite Wafer Carriers