Bermîla Reaktora Epitaxial a Silicon Carbide Coated

Kurte Danasîn:

Semicera pargîdaniyek teknolojîya bilind e ku bi gelek salan ve bi lêkolîna materyalê ve mijûl e, digel tîmek pêşeng a R&D û R&D û hilberîna yekbûyî.Bermîla Reaktora Epitaxial ya Xweserkirî ya Silicon Carbide Coated peyda bikin da ku bi pisporên me yên teknîkî re nîqaş bikin ka meriv çawa ji bo hilberên xwe performansa çêtirîn û berjewendiya bazarê bistîne.


Detail Product

Tags Product

Çima silicon Carbide cilê ye?

Di qada semiconductor de, aramiya her pêkhateyê ji bo tevahiya pêvajoyê pir girîng e.Lêbelê, di hawîrdorek germahiya bilind de, grafît bi hêsanî tê oksîdan û windakirin, û pêlava SiC dikare ji bo parçeyên grafît parastinek domdar peyda bike.DiSemiceratîmê me, alavên me yên hilberandina paqijkirina grafîtê hene, ku dikarin paqijiya grafîtê li jêr 5ppm kontrol bikin.Paqijiya pêlava karbîd a silicon jî di binê 5ppm de ye.

Feydeya me, çima Semicera hilbijêrin?

✓Di bazara Chinaînê de kalîteya bilind

 

✓Xizmeta baş her dem ji bo we, 7*24 demjimêran

 

✓Dîroka radestkirinê ya kurt

 

✓ MOQ piçûk bi xêr hatî û qebûl kirin

 

✓Xizmetên xwerû

Amûrên hilberîna quartz 4

Bikaranînî

Epitaxy Growth Susceptor

Pêdivî ye ku waferên silicon / karbide silicon di gelek pêvajoyan re derbas bibin da ku di cîhazên elektronîkî de werin bikar anîn.Pêvajoyek girîng epîtaksiya silicon/sic e, ku tê de waferên silicon/sic li ser bingehek grafît têne hilgirtin.Feydeyên taybetî yên bingeha grafîtê ya bi silicon-carbide-pêçandî ya Semicera-yê paqijiya pir bilind, pêçek yekgirtî, û jiyana karûbarê pir dirêj e.Di heman demê de berxwedana kîmyewî û aramiya germî ya wan jî heye.

 

Hilberîna Chip LED

Di dema dorpêçkirina berfireh a reaktora MOCVD de, bingeha gerstêrk an hilgirê vefera substratê dihejîne.Performansa materyalê bingehîn bandorek mezin li ser qalîteya xêzkirinê dike, ku di encamê de bandorê li rêjeya hilweşandina çîpê dike.Bingeha pêvekirî ya karbîd-a siliconê ya Semicera karbidestiya hilberîna pêlavên LED-a-kalîteya bilind zêde dike û guheztina dirêjahiya pêlê kêm dike.Em ji bo hemî reaktorên MOCVD yên ku niha têne bikar anîn jî hêmanên grafîtê yên din peyda dikin.Em dikarin hema hema her hêmanek bi karbîdek siliconê vekin, tewra ku pîvana pêkhateyê heya 1.5M be jî, em dîsa jî dikarin bi karbîd silicon veşêrin.

Qada nîvconductor, Pêvajoya Belavbûna Oksîdasyonê, hwd.

Di pêvajoya nîvconductor de, pêvajoya berfirehkirina oksîdasyonê paqijiya hilberê bilind hewce dike, û li Semicera em ji bo piraniya beşên karbîdê silicon karûbarên xwerû û CVD pêşkêşî dikin.

Wêneya jêrîn şilava karbîd a sîlîkonê ya ku bi hişkî hatî hilberandin a Semicea û lûleya firna karbîd a silicon ku di 100 de tê paqij kirin nîşan dide.0-deştbê tozjûre.Karkerên me beriya kolandinê dixebitin.Paqijiya karbîdê siliconê me dikare bigihîje 99,98%, û paqijiya rûkê sic ji% 99,9995 mezintir e.

Berhema nîv-qediyayî ya silicon carbide berî xêzkirinê -2

Raw Silicon Carbide Paddle and SiC Process Tobe di Paqijkirinê de

Tube SiC

Silicon Carbide Wafer Boat CVD SiC Coated

Daneyên Semi-cera 'CVD SiC Performace.

Daneyên pêvekirina nîv-cera CVD SiC
Paqijiya sic
Cihê Karê Semicera
Cihê karê nîvser 2
Semicera Ware House
Makîneya alavan
Pêvajoya CNN, paqijkirina kîmyewî, pêlava CVD
Xizmeta me

  • Pêşî:
  • Piştî: