Semiconductor silicon carbide qeyikê wafer

Kurte Danasîn:

Berhemên pêkhateya Weitai SiC xwedan berxwedana oksîdasyonê ya bilind, aramiya kîmyewî û berxwedana germê ne, digel taybetmendiyên hêja yên aramiyê jî di 2000 dereceyan de.Ew bi berfirehî di keştiyên wafer, lûle û waferên simulasyonê de têne bikar anîn ku li şûna waferên silicon ên ku di pêvajoya çêkirina materyalên nîvconductor de hewce ne, têne bikar anîn, û di heman demê de bi berfirehî di hilberên pêvekirî yên ku di germahiya bilind de têne bikar anîn de têne bikar anîn.Ew bi berfirehî di alavên hilberîna semiconductor, qada otomotîvê, qada enerjiyê û qadên din de tê bikar anîn.


Detail Product

Tags Product

Silicon carbide celebek nû ya seramîkê ye ku bi lêçûnek bilind û taybetmendiyên materyalê yên hêja ye.Ji ber taybetmendiyên mîna hêz û serhişkiya bilind, berxwedana germahiya bilind, gihandina germî ya mezin û berxwedana korozyona kîmyewî, Silicon Carbide hema hema dikare li hember hemî navgînên kîmyewî rabe.Ji ber vê yekê, SiC bi berfirehî di kana neftê, kîmyewî, makîne û qada hewayê de tê bikar anîn, tewra enerjiya navokî û artêş daxwazên xwe yên taybetî li ser SIC hene.Hin serîlêdanên normal ên ku em dikarin pêşkêşî bikin zengilên mohrkirinê yên ji bo pomp, valve û cebilxaneya parastinê hwd.

Em dikarin li gorî pîvanên weya taybetî bi qalîteya baş û dema radestkirina maqûl sêwiran û hilberînin.

微信图片_20230719092847

Aavantajên:

Berxwedana oxidation germahiya bilind

Berxwedana Korozyonê ya hêja

Berxwedana Abrasion baş

Rêjeya bilind a germbûna germê
Xwe-rûnbûn, dendika kêm
Serhişkiya bilind
design Customized.

 

Serlêdan:

-Qada berxwedêr a liberxwedanê: çîçek, plak, çîçeka sandblasting, xêzkirina cyclone, bermîla qirkirinê, hwd...

-Qada germahiya bilind: Slabê siC, Tîpa firnê ya qunçkirinê, lûleya tîrêjê, çîpek, hêmana germkirinê, çîçek, tîrêj, veguhezkarê germê, lûleya hewaya sar, nozê şewitandinê, lûleya parastinê ya termocouplê, keştiya SiC, Struktura gerîdeyê, Setter, hwd.

-Qada gulebarana leşkerî

-Silicon Carbide Semiconductor: Keştiya waferê ya SiC, sic chuck, sic paddle, sic kaset, lûleya belavkirina sic, çenga wafer, plakaya şûştinê, rêwerz, hwd.

-Qada Seal Carbide Silicon: her cûre zengila morkirinê, hilgirtin, çîçek, hwd.

-Qada Fotovoltaîk: Padşa Kantilever, Bermîla Xirîn, Roller Karbîdê Silicon, hwd.

-Qada Pîlê Lithium

Parametreyên Teknîkî:

图片2

Daneyên materyalê

材料Mal

R-SiC

使用温度Germahiya xebatê (°C)

1600°C (氧化气氛Jîngeha oksîdan)

1700°C (还原气氛Kêmkirina jîngehê)

SiC含量naveroka SiC (%)

> 99

自由Si含量naveroka Si belaş (%)

< 0.1

体积密度Dendika mezin (g/cm3)

2.60-2.70

气孔率Poroziya xuya (%)

< 16

抗压强度Hêza perçiqandinê (MPa)

> 600

常温抗弯强度Hêza ziravkirina sar (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Hêza germbûna germ (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Rêjeya berfirehbûna germî @1500°C (10-6/°C)

4.70

导热系数Germahîbûna termal @1200°C (W/mK)

23

杨氏模量Modula Elastîk (GPa)

240

抗热震性Berxwedana şoka termal

很好Extremely baş

微信图片_202307131713033

  • Pêşî:
  • Piştî: