Nîvconductor Silicon bingeha epitaxy GaN

Kurte Danasîn:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. dabînkerek pêşeng a seramîkên nîvconduktorê pêşkeftî ye û yekane çêkerê li Chinaînê ye ku dikare di heman demê de seramîkên karbîd ên siliconê yên paqij-paqijî (bi taybetî SiC-ya Recrystalized) û pêlava CVD SiC peyda bike. Wekî din, pargîdaniya me ji zeviyên seramîk ên wekî alumina, nitride aluminium, zirconia, û silicon nitride, û hwd jî pabend e.

 

Detail Product

Tags Product

epitaxy GaN-based Silicon

Danasîna hilberê

Pargîdaniya me bi rêbaza CVD karûbarên pêvajoya girtina SiC li ser rûyê grafît, seramîk û materyalên din peyda dike, da ku gazên taybetî yên ku karbon û silicon hene di germahiya bilind de bertek nîşan bidin da ku molekulên SiC yên paqijiya bilind bistînin, molekulên ku li ser rûyê materyalên pêçandî têne razandin. avakirina qata parastinê ya SIC.

Taybetmendiyên sereke:

1. Berxwedana oksîdasyona germahiya bilind:

Dema ku germahî bi qasî 1600 C be, berxwedana oksîdasyonê hîn jî pir baş e.

2. Paqijiya bilind: ji hêla hilweşandina vaporê kîmyewî ve di bin şerta klorîna germahiya bilind de hatî çêkirin.

3. Berxwedana erozyonê: serhişkiya bilind, rûbera tevlihev, perçeyên hûr.

4. Berxwedana korozyonê: asîd, alkali, xwê û reagentên organîk.

Taybetmendiyên sereke yên CVD-SIC Coating

Taybetmendiyên SiC-CVD

Structure Crystal

Qonaxa β FCC

Density

g/cm ³

3.21

Hardness

Serhişkiya Vickers

2500

Mezinahiya Genim

μm

2~10

Paqijiya Kîmyewî

%

99.99995

Heat Capacity

J·kg-1 ·K-1

640

Germahiya Sublimation

2700

Hêza Felexural

MPa (RT 4-xala)

415

Modula Ciwan

Gpa (4pt bend, 1300℃)

430

Berfirehkirina Termal (CTE)

10-6K-1

4.5

Germiya germî

(W/mK)

300

Cihê Karê Semicera
Cihê karê nîvser 2
Makîneya alavan
Pêvajoya CNN, paqijkirina kîmyewî, pêlava CVD
Xizmeta me

  • Pêşî:
  • Piştî: