Germahiya bilind û berxwedêra berxwedêr a LED Silicon Carbide Tîpa etching (ICP Etching Tray)

Tîpa hilavêtinê ya LED Silicon Carbide ya berxwedêr a germahîya bilind û berxwedêr

Kurte Danasîn:

Semicera Energy Technology Co., Ltd.Em ji bo hilberîna nîv-conductor hilberên kalîteya bilind, pêbawer û nûjen peyda dikin,pîşesaziya fotovoltaîkû qadên din ên têkildar.

Rêzeya hilberê me hilberên grafît û hilberên seramîk ên bi sic/TaC ve girêdayî ye, ku ji materyalên cihêreng ên wekî karbîd silicon, silicon nitride, û oxide aluminium û hwd vedihewîne.

Wekî dabînkerek pêbawer, em girîngiya xerckirinê di pêvajoya hilberînê de fam dikin, û em pêbawer in ku hilberên ku standardên kalîteya herî bilind bicîh bînin da ku hewcedariyên xerîdarên xwe bicîh bînin.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Danasîna hilberê

Pargîdaniya me karûbarên pêvajoya girtina SiC bi rêbaza CVD li ser rûyê grafît, seramîk û materyalên din peyda dike, da ku gazên taybetî yên ku karbon û silicon hene di germahiya bilind de reaksiyonê bikin da ku molekulên SiC yên paqijiya bilind bistînin, molekulên ku li ser rûyê materyalên pêçandî hatine razandin. avakirina qata parastinê ya SIC.

Taybetmendiyên sereke:

1. Berxwedana oksîdasyona germahiya bilind:

dema ku germahî bi qasî 1600 C be, berxwedana oksîdasyonê hîn pir baş e.

2. Paqijiya bilind: ji hêla hilweşandina vaporê kîmyewî ve di bin şerta klorîna germahiya bilind de hatî çêkirin.

3. Berxwedana erozyonê: serhişkiya bilind, rûbera tevlihev, perçeyên hûr.

4. Berxwedana korozyonê: asîd, alkali, xwê û reagentên organîk.

1111111斯蒂芬森

111111111111111111

Taybetmendiyên sereke yên CVD-SIC Coating

Taybetmendiyên SiC-CVD
Structure Crystal	Qonaxa β FCC
Density	g/cm ³	3.21
Hardness	Serhişkiya Vickers	2500
Mezinahiya genim	μm	2~10
Paqijiya Kîmyewî	%	99.99995
Kapasîteya germê	J·kg-1 ·K-1	640
Germahiya Sublimation	℃	2700
Hêza Felexural	MPa (RT 4-xala)	415
Modula Ciwan	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Berfirehkirina Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Germiya germî	(W/mK)	300