2 ~ 6 înç 4° ji quncika P-type 4H-SiC substrate

Kurte Danasîn:

‌4° ji goşeyê dûr P-type 4H-SiC substrate‌ materyalek nîvconduktorê ya taybetî ye, ku "4° ji goşeyê dûr" vedibêje goşeya rêça krîstalê ya waferê ku 4 derece ji goşeyê dûr e, û "Cîpa P" vedibêje. cureyê gihandina nîvconductor. Ev materyal di pîşesaziya nîvconductor de, nemaze di warên elektronîkî yên hêzê û elektronîkî yên frekansa bilind de serîlêdanên girîng hene.


Detail Product

Tags Product

Substratên Semicera yên 2~6 inç 4° ji quncikek P-type 4H-SiC têne çêkirin da ku hewcedariyên mezin ên hilberînerên cîhaza RF û hêza performansa bilind bicîh bîne. Arastînasyona 4° ji goşeyê xweştir mezinbûna epîtaksial misoger dike, ku vê substratê dike bingehek îdeal ji bo cûrbecûr amûrên nîvconductor, di nav de MOSFET, IGBT, û diodan.

Ev 2 ~ 6 înç 4° ji goşeya P-type 4H-SiC substrate xwedan taybetmendiyên materyalê yên hêja ye, di nav de guheztina germî ya bilind, performansa elektrîkî ya hêja, û aramiya mekanîkî ya berbiçav. Arasteya dûr-goşeyî arîkariya kêmkirina dendika mîkrobopî dike û tebeqeyên epîtaksial nermtir pêşve dike, ku ji bo baştirkirina performans û pêbaweriya cîhaza nîvconductor ya paşîn krîtîk e.

Substratên 2 ~ 6 înç 4 ° P-tîpên 4H-SiC yên Semicera di cûrbecûr pîvanan de hene, ji 2 înç heya 6 înç hene, da ku daxwazên cûda yên hilberînê bicîh bînin. Substratên me bi rastî hatine çêkirin da ku astên dopîngê yên yekgirtî û taybetmendiyên rûkal-kalîteyê peyda bikin, da ku her wafer taybetmendiyên hişk ên ku ji bo sepanên elektronîkî yên pêşkeftî hewce ne pêk tîne.

Pabendbûna Semicera ya ji nûbûn û kalîteyê re piştrast dike ku binerdeyên me yên 2 ~ 6 inç 4 ° ji goşeya P-tîpê 4H-SiC performansa domdar di cûrbecûr sepanan de ji elektronîkên hêzê bigire heya amûrên frekansa bilind peyda dike. Ev hilber çareseriyek pêbawer ji bo nifşa paşîn a nîvconduktorên enerjiyê yên bikêrhatî, bi performansa bilind peyda dike, ku di pîşesaziyên wekî otomotîv, telekomunikasyon, û enerjiya nûvebar de piştgirî dide pêşkeftinên teknolojîk.

Pîvana-girêdayî size

Mezinayî

2-Inch

4-Inch

Çap 50,8 mm±0,38 mm 100,0 mm+0/-0,5 mm
Orentation Surface 4° ber bi<11-20>±0,5° 4° ber bi<11-20>±0,5°
Dirêjahiya Xanî ya Seretayî 16,0 mm±1,5 mm 32.5mm±2mm
Duyemîn Flat Length 8,0 mm±1,5 mm 18,0 mm ± 2 mm
Orientation Flat Seretayî Paralelto <11-20>±5,0° Parallelto<11-20>±5.0c
Orientation Flat Duyemîn 90°CW ji seretayî ± 5.0°, rû silicon ber jor 90°CW ji seretayî ± 5.0°, rû silicon ber jor
Dawiya Rûyê C-Rû: Poloniya Optîk, Si-Rû: CMP C-Rû: OpticalPolish, Si-Face: CMP
Wafer Edge Beveling Beveling
Zehmetiya Rûyê Si-Face Ra<0,2 nm Si-Face Ra<0.2nm
Qewîtî 350,0±25,0um 350,0±25,0um
Polytype 4H 4H
Doping p-Tîp p-Tîp

Pîvana-girêdayî size

Mezinayî

6-Inch
Çap 150,0 mm+0/-0,2 mm
Orientation Surface 4° ber bi<11-20>±0,5°
Dirêjahiya Xanî ya Seretayî 47,5 mm ± 1,5 mm
Duyemîn Flat Length Netû
Orientation Flat Seretayî Parallel bi <11-20>±5.0°
Orientation SecondaryFlat 90°CW ji seretayî ± 5,0°, rû silicon ber jor
Dawiya Rûyê C-Rû: Poloniya Optîk, Si-Rû: CMP
Wafer Edge Beveling
Zehmetiya Rûyê Si-Face Ra<0,2 nm
Qewîtî 350,0±25,0μm
Polytype 4H
Doping p-Tîp

Raman

2-6 înç 4° ji goşeya dûr P-type 4H-SiC substrate-3

Kevirê kevir

2-6 înç 4° ji goşeya dûr P-type 4H-SiC substrate-4

Dendika veqetandinê (KOH etching)

2-6 inç 4° ji goşeya P-tîpê 4H-SiC substrate-5

KOH wêneyên etching

2-6 înç 4° ji goşeya P-tîpê 4H-SiC substrate-6
Waferên SiC

  • Pêşî:
  • Piştî: