English

Keştiya karbîdê silîkonê ya nîvconductor ya bi kalîte, hilgirê wafer

Keştiya karbîdê silîkonê ya nîvconductor ya bi kalîte, Wêneyê Taybetmendî hilgirê wafer
  • Keştiya karbîdê silîkonê ya nîvconductor ya bi kalîte, hilgirê wafer

Kurte Danasîn:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. dabînkerek pêşeng e ku pisporê wafer û xercên nîvconductor yên pêşkeftî ye.Em ji bo hilberîna nîvconductor hilberên kalîteya bilind, pêbawer û nûjen peyda dikin,pîşesaziya fotovoltaîkû qadên din ên têkildar.

Rêzeya hilberê me hilberên grafît û hilberên seramîk ên bi sic/TaC ve girêdayî ye, ku ji materyalên cihêreng ên wekî karbîd silicon, silicon nitride, û oxide aluminium û hwd vedihewîne.

Wekî dabînkerek pêbawer, em girîngiya xerckirinê di pêvajoya hilberînê de fam dikin, û em pêbawer in ku hilberên ku standardên kalîteya herî bilind bicîh bînin da ku hewcedariyên xerîdarên xwe bicîh bînin.


Detail Product

Tags Product

Silicon carbide celebek nû ya seramîkê ye ku bi lêçûnek bilind û taybetmendiyên materyalê yên hêja ye.Ji ber taybetmendiyên mîna hêz û serhişkiya bilind, berxwedana germahiya bilind, gihandina germî ya mezin û berxwedana korozyona kîmyewî, Silicon Carbide hema hema dikare li hember hemî navgînên kîmyewî rabe.Ji ber vê yekê, SiC bi berfirehî di kana neftê, kîmyewî, makîne û qada hewayê de tê bikar anîn, tewra enerjiya navokî û artêş daxwazên xwe yên taybetî li ser SIC hene.Hin serîlêdanên normal ên ku em dikarin pêşkêşî bikin zengilên mohrkirinê yên ji bo pomp, valve û cebilxaneya parastinê hwd.

Em dikarin li gorî pîvanên weya taybetî bi qalîteya baş û dema radestkirina maqûl sêwiran û hilberînin.

keştiya silicon carbide (5)

Aavantajên:

Berxwedana oxidation germahiya bilind

Berxwedana Korozyonê ya hêja

Berxwedana Abrasion baş

Rêjeya bilind a germbûna germê
Xwe-rûnbûn, dendika kêm
Serhişkiya bilind
design Customized.

Serlêdan:

-Qada berxwedêr a liberxwedanê: çîçek, plak, çîçeka sandblasting, xêzkirina cyclone, bermîla qirkirinê, hwd...

-Qada germahiya bilind: Slabê siC, Tîpa firnê ya qunçkirinê, lûleya tîrêjê, çîpek, hêmana germkirinê, çîçek, tîrêj, veguhezkarê germê, lûleya hewaya sar, nozê şewitandinê, lûleya parastinê ya termocouplê, keştiya SiC, Struktura gerîdeyê, Setter, hwd.

-Qada gulebarana leşkerî

-Silicon Carbide Semiconductor: Keştiya waferê ya SiC, sic chuck, sic paddle, sic kaset, lûleya belavkirina sic, çenga wafer, plakaya şûştinê, rêwerz, hwd.

-Qada Seal Carbide Silicon: her cûre zengila morkirinê, hilgirtin, çîçek, hwd.

-Qada Fotovoltaîk: Padşa Kantilever, Bermîla Xirîn, Roller Karbîdê Silicon, hwd.

-Qada Pîlê Lithium

keştiya waferê ya silicon carbide (1)

Parametreyên Teknîkî:

图片2

Daneyên materyalê

材料Mal

R-SiC

使用温度Germahiya xebatê (°C)

1600°C (氧化气氛Jîngeha oksîdan)

1700°C (还原气氛Kêmkirina jîngehê)

SiC含量naveroka SiC (%)

> 99

自由Si含量naveroka Si belaş (%)

< 0.1

体积密度Dendika mezin (g/cm3)

2.60-2.70

气孔率Poroziya xuya (%)

< 16

抗压强度Hêza perçiqandinê (MPa)

> 600

常温抗弯强度Hêza ziravkirina sar (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Hêza germbûna germ (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Rêjeya berfirehbûna germî @1500°C (10-6/°C)

4.70

导热系数Germahîbûna termal @1200°C (W/m•K)

23

杨氏模量Modula Elastîk (GPa)

240

抗热震性Berxwedana şoka termal

很好Extremely baş
  • Pêşî:
  • Piştî:

    • BERHEMÊN RELATED