Silicon nitride bonded silicon carbide
Materyalên refraktîkî yên seramîk ên SiC-ê yên girêdayî Si3N4, bi toza SIC-a paqij a bilind û toza siliconê re tê tevlihev kirin, piştî qursa avêtina şemitandinê, reaksiyonê di binê 1400 ~ 1500 ° C de tê tevlihev kirin.Di dema qursa sinterkirinê de, nîtrojena paqij a bilind di firnê de dagirtin, wê hingê silicon dê bi nîtrojenê re reaksiyonê bike û Si3N4 çêbike, Ji ber vê yekê materyalê SiC ya girêdayî Si3N4 ji nîtrîda silicon (23%) û karbîd silicon (75%) wekî madeya xav a sereke pêk tê. , bi materyalê organîk ve tê tevlihev kirin, û bi tevlihevî, derxistin an rijandinê ve hatî çêkirin, dûv re piştî zuwakirin û nîtrojenkirinê têne çêkirin.
Taybetmendî û avantajên:
1.Htolerasyona germahiya bilind
2.High Germahî û berxwedana şokê
3.High hêza mekanîzmayî û berxwedana abrasion
4.Excellent karbidestiya enerjiyê û berxwedana korozyonê
Em hêmanên seramîk ên NSiC yên bi kalîte û rast-makînekirî yên ku ji hêla pêvajoyê ve têne çêkirin peyda dikin
1.Slip avêtin
2.Derkêşandin
3.Uni Axial Pressing
4.Pêşkêşkirina Îsostatîk
Daneyên materyalê
> Pêkhatina Kîmyewî | Sic | Rêsakanî bekarhênan 75% |
Si3N4 | ≥23% | |
Azad Si | 0% | |
Dendika mezin (g/cm3) | 2.70~2.80 | |
Poroziya xuya (%) | 12~15 | |
Hêza bendkirinê li 20 ℃ (MPa) | 180~190 | |
Hêza bendkirinê li 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
Hêza bendkirinê li 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
Hêza zextê li 20 ℃ (MPa) | 580 | |
Germbûna germê li 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
Rêjeya berfirehbûna germî li 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
Berxwedana şoka termal | Pirrbidilî | |
Max.germahî (℃) | 1600 |