SiC Coating Graphite Wafer Susceptor

Kurte Danasîn:

Semicera Semiconductor's SiC Coating Graphite Wafer Susceptor performansa germî û domdariya bilind a ji bo hilberîna waferê peyda dike. Pişta xwe bidin Semicera ji bo pêlên pêvekirî yên bi SiC-ê yên ku ji bo zêdekirina karîgerî û pêbaweriyê di sepanên nîvconductor de hatine çêkirin.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Terîf

Semicorex's SiC Wafer Susceptors ji bo MOCVD (Depozisyona Vapora Kîmyewî ya Metal-Organîk) ji bo bicîhanîna daxwazên berbiçav ên pêvajoyên depokirina epitaxial têne çêkirin. Bi karanîna Silicon Carbide (SiC)-a-kalîteya bilind, van susceptors domdarî û performansa bêhempa li hawîrdorên germahîya bilind û gemarî peyda dikin, ku mezinbûna rast û bikêr a materyalên nîvconductor misoger dike.

Taybetmendiyên sereke:

1. Taybetmendiyên Madeya BilindJi SiC-a pola bilind hatî çêkirin, susceptorên meya waferê veguheztina germî û berxwedana kîmyewî ya bêhempa nîşan didin. Van taybetmendiyan wan dihêle ku li hember şert û mercên giran ên pêvajoyên MOCVD, di nav de germahiyên bilind û gazên gemarî, jiyanek dirêj û performansa pêbawer peyda bikin.

2. Precision in Epitaxial DepositionEndezyariya rastîn a SiC Wafer Susceptors me dabeşkirina germahiya yekgirtî li seranserê rûbera waferê misoger dike, mezinbûna qata epîtaksial a domdar û bi kalîte hêsan dike. Ev rastbûn ji bo hilberandina nîvconduktorên bi taybetmendiyên elektrîkî yên çêtirîn krîtîk e.

3. Durability EnhancedMateryalên SiC yên zexm li hember xitimandin û hilweşandinê, tewra di bin rûbirûbûna domdar a hawîrdora pêvajoyê ya dijwar de jî berxwedanek hêja peyda dike. Ev domdarî frekansa guheztina susceptor kêm dike, dema domdar û lêçûnên xebitandinê kêm dike.