Graphite Susceptor with Silicon Carbide Coating, 8 inch wafer Carrier

Sûsceptorê grafît bi pêlava silicon carbide, wafer 8 inç Hilgir Wêneyê Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Semicera Energy rêzek berfireh a susceptor û pêkhateyên grafîtê ku ji bo reaktorên cihêreng ên epitaxy hatine çêkirin pêşkêşî dike.

Bi hevkariyên stratejîk ên bi OEM-yên pêşeng ên pîşesaziyê, pisporiya materyalên berfireh, û kapasîteyên hilberîna pêşkeftî, Weitai sêwiranên xwerû peyda dike da ku daxwazên taybetî yên serîlêdana we bicîh bîne. Pabendbûna me ya jêhatîbûnê piştrast dike ku hûn ji bo hewcedariyên xwe yên reaktora epitaxy çareseriyên çêtirîn bistînin.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Terîf

Çêkirina CVD-SiCxwedan taybetmendiyên strukturek yekgirtî, materyalê tevlihev, berxwedana germahiya bilind, berxwedana oksîdasyonê, paqijiya bilind, berxwedana asîd û alkali û reagentek organîk e, bi taybetmendiyên laşî û kîmyewî yên domdar.

Li gorî materyalên grafîtê yên paqij-paqij, grafît di 400C de dest bi oksîdekirinê dike, ku dê bibe sedema windabûna tozê ji ber oksîdasyonê, di encamê de qirêjiya hawîrdorê li cîhazên dorhêl û odeyên valahiya zêde dike, û nepakiyên jîngeha paqijiya bilind zêde dike.
Lebê,Çêkirina SiCdikare aramiya fîzîkî û kîmyewî li 1600 pileyî biparêze, Ew bi berfirehî di pîşesaziya nûjen de, nemaze di pîşesaziya nîvconductor de tê bikar anîn.

CFGNBHXF

SFGHBZSF

Taybetmendiyên sereke

1 .Grafîtê pêça SiC paqijiya bilind

2. Berxwedana germê ya bilind & yekdestiya germî

3. Baş eKrîstala SiC tê pêçanji bo rûberek nerm

4. Li dijî paqijkirina kîmyewî berxwedana bilind

Taybetmendiyên sereke yên CVD-SIC Coatings:

SiC-CVD
Density	(g/cc)	3.21
Hêza Flexural	(Mpa)	470
Berfirehkirina termal	(10-6/K)	4
Germiya germî	(W/mK)	300

Pakkirin û şandin

Kapasîteya dabînkirinê:
10000 Parçe / Parçe her meh
Pakkirin & Radestkirin:
Pakkirin: Pakêkirina Standard & Hêzdar
Poly bag + Box + Carton + Pallet
Bender:
Ningbo / Shenzhen / Shanghai
Dema pêkhatinê: