Silicon Carbide Disc for MOCVD

EwSilicon Carbide Discji bo MOCVD ji semicera, çareseriyek performansa bilind a ku ji bo kargêriya çêtirîn di pêvajoyên mezinbûna epitaxial de hatî çêkirin. Semicera Silicon Carbide Disc îstîqrar û rastbûna germî ya awarte pêşkêşî dike, ku ew di pêvajoyên Si Epitaxy û SiC Epitaxy de pêkhateyek bingehîn dike. Ji bo ku li hember germahiyên bilind û şertên daxwazker ên serîlêdanên MOCVD-ê bisekinin, ev dîskê performansa pêbawer û dirêjahî peyda dike.

Dîska meya Silicon Carbide bi cûrbecûr mîhengên MOCVD re hevaheng e, di nav deMOCVD Susceptorpergalên, û pêvajoyên pêşkeftî yên wekî GaN li ser SiC Epitaxy piştgirî dike. Di heman demê de ew bi pergalên PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, û RTP Carrier re bi rêkûpêk yek dibe, rastbûn û kalîteya hilberîna we zêde dike. Çi ji bo hilberîna Silicon Monocrystalline an serîlêdanên LED Epitaxial Susceptor were bikar anîn, ev dîsk encamên awarte peyda dike.

Wekî din, Dîska Silicon Carbide ya semicera bi veavakirinên cihêreng, di nav de sazûmanên Pancake Susceptor û Barrel Susceptor, di nav hawîrdorên hilberînê yên cihêreng de nermbûnê peyda dike. Tevlîbûna Parçeyên Fotovoltaîk bêtir sepana xwe li ser pîşesaziyên enerjiya rojê dirêj dike, û ew ji bo nûjen dike hêmanek piralî û domdar.epitaxialmezinbûn û çêkirina nîvconductor.