Niha, rêbazên amadekirinaÇêkirina SiCdi serî de rêbaza gel-sol, rêbaza vegirtinê, rêbaza xêzkirina firçeyê, rêbaza rijandina plazmayê, rêbaza reaksiyona gaza kîmyewî (CVR) û rêbaza depokirina buhara kîmyewî (CVD) tê de.
Rêbaza vegirtinê:
Rêbaz celebek ziravkirina qonaxa zexm a germahiya bilind e, ku bi giranî tevlêbûna toza Si û toza C wekî toza binavkirinê bikar tîne, matrixa grafîtê di toza binavkirinê de tê danîn, û şînbûna germahiya bilind di gaza bêhêz de tê kirin. , û di dawiyê deÇêkirina SiCli ser rûyê matrixa grafît tê bidestxistin.Pêvajo hêsan e û tevliheviya di navbera xêzkirin û substratê de baş e, lê yekrengiya pêlavê li ser riya stûrbûnê nebaş e, ku hêsan e ku meriv bêtir qulikan çêbike û bibe sedema berxwedana oksîdasyonê ya belengaz.
Rêbaza kişandina firçeyê:
Rêbaza kişandina firçeyê bi giranî ew e ku meriv maddeya xav a şil li ser rûyê matrixê grafîtê firçe bike, û dûv re maddeya xav di germahiyek diyar de sax bike da ku pêvekê amade bike.Pêvajo sade ye û lêçûn kêm e, lê pêlava ku bi rêbaza pêlavkirina firçeyê hatî amadekirin di berhevoka bi substratê de qels e, yekrengiya xêzkirinê nebaş e, cilê zirav e û berxwedana oksîdasyonê kêm e, û ji bo arîkariyê rêbazên din hewce ne. ew.
Rêbaza rijandina plazmayê:
Rêbaza rijandina plazmayê bi giranî ev e ku meriv li ser rûyê matrixê grafîtê bi çekek plasma maddeyên xav ên helandî an nîv-helkirî dirijîne, û dûv re zexmkirin û girêdan da ku pêçek çêbike.Rêbaz hêsan e ku karbidest e û dikare pêçek karbîd a siliconê ya bi nisbeten zexm amade bike, lê pêlava karbîd a siliconê ku bi vê rêbazê hatî amadekirin bi gelemperî pir qels e û dibe sedema berxwedana qels a oksîdasyonê, ji ber vê yekê ew bi gelemperî ji bo amadekirina pêlava pêkhatî ya SiC tê bikar anîn da ku çêtir bikin. kalîteya kincê.
Rêbaza Gel-sol:
Rêbaza gel-sol bi giranî ew e ku meriv çareseriyek solê ya yekgirtî û zelal a ku rûyê matrixê vedigire, di gêlê de zuwa dike û dûv re jî şelandinê dike da ku pêvekek bistîne.Vê rêbazê xebitandinê hêsan e û lêçûnek hindik e, lê pêlava ku hatî hilberandin hin kêmasiyên wekî berxwedana şokê ya germî ya kêm û şkandina hêsan heye, ji ber vê yekê ew bi berfirehî nayê bikar anîn.
Reaksiyona Gaza Kîmyewî (CVR):
CVR bi piranî çêdikeÇêkirina SiCbi karanîna toza Si û SiO2 ji bo hilberandina buhara SiO di germahiya bilind de, û rêzek reaksiyonên kîmyewî li ser rûyê substratê materyalê C çêdibin.EwÇêkirina SiCku bi vê rêbazê hatî amadekirin ji nêz ve bi substratê ve tê girêdan, lê germahiya reaksiyonê bilindtir e û lêçûn jî zêde ye.
Depokirina Vapora Kîmyewî (CVD):
Heya nuha, CVD teknolojiya sereke ya amadekirinê yeÇêkirina SiCli ser rûyê substratê.Pêvajoya bingehîn rêzek reaksiyonên laşî û kîmyewî yên maddeya reaksiyonê ya qonaxa gazê ya li ser rûyê substratê ye, û di dawiyê de pêlava SiC bi depokirina li ser rûyê substratê tê amadekirin.Kişandina SiC ya ku ji hêla teknolojiya CVD ve hatî amade kirin ji nêz ve bi rûyê substratê ve girêdayî ye, ku dikare bi bandor berxwedana oksîdasyonê û berxwedana ablative ya materyalê substratê çêtir bike, lê dema hilweşandina vê rêbazê dirêjtir e, û gaza reaksiyonê xwedan hin jehrîn e. xaz.
Dema şandinê: Nov-06-2023