Lêgerîna Taybetmendiyên Hêza Bilind û Zehmetiya Bilind a Keştiyên Wafer ên Silicon Carbide

Silicon carbide (SiC) keştiyên waferdi pîşesaziya nîvconductor de rolek girîng dileyzin, hêsankirina hilberîna amûrên elektronîkî yên bi kalîte. Ev gotar li ser taybetmendiyên berbiçav ên xêz dikeqeyikên wafer SiC, balê dikişîne ser hêz û serhişkiya wan a awarte, û girîngiya wan di piştgirîkirina mezinbûna pîşesaziya nîvconductor de ronî dike.

LihevhatSilicon Carbide Wafer Boats:
Keştiyên wafer ên silicon carbide, ku wekî qeyikên SiC jî têne zanîn, hêmanên bingehîn in ku di pêvajoya çêkirina nîvconductoran de têne bikar anîn. Van keştiyan di qonaxên cûrbecûr yên hilberîna nîvconductor de, wek etching, paqijkirin, û belavkirinê de, wekî hilgirên waferên siliconê kar dikin. Keştiyên wafer ên SiC ji ber taybetmendiyên xwe yên bilindtir li ser keştiyên grafît ên kevneşopî têne tercîh kirin.

Hêza bêhempa:
Yek ji taybetmendiyên berbiçav ênqeyikên wafer SiChêza wan a awarte ye. Silicon carbide xwedan hêzek ziravî ya bilind e, ku rê dide keştiyan ku li hember şert û mercên daxwazên pêvajoyên hilberîna nîvconductor bisekinin. Keştiyên SiC dikarin germahiyên bilind, stresên mekanîkî, û hawîrdorên gemarî ragirin bêyî ku yekparebûna xweya avahîsaziyê têk bibin. Ev zexm veguheztin û destwerdana bi ewle ya waferên siliconê yên nazik misoger dike, di dema hilberînê de xetera şikestin û qirêjbûnê kêm dike.

Zehmetiya berbiçav:
Taybetmendiyek din a berbiçav aqeyikên wafer SiCserhişkiya wan bilind e. Silicon carbide xwedan serhişkiya Mohs 9,5 e, ku ew dike yek ji wan materyalên herî dijwar ku ji mirovan re tê zanîn. Vê serhişkiya awarte ji keştiyên SiC re berxwedanek liberxwedanî ya hêja peyda dike, pêşî li xişandin an zirarê dide waferên silicon ku ew hildigirin. Zehmetiya SiC di dirêjahiya keştiyan de jî dibe alîkar, ji ber ku ew dikarin li ber karanîna dirêjkirî bêyî nîşanên girîng ên cilê bisekinin, di pêvajoyên hilberîna nîvconductor de performansa domdar û pêbawer peyda dikin.

Avantajên li ser Keştiyên Graphite:
Li gorî keştiyên grafît ên kevneşopî,silicon carbide qeyikên waferçend avantajên pêşkêş dikin. Dema ku keştiyên grafît di germahiyên bilind de ji oksîdasyon û hilweşandinê re têkildar in, keştiyên SiC li hember hilweşandina termal û oksîdasyonê berxwedanek bilind nîşan didin. Wekî din,qeyikên wafer SiCli gorî keştiyên grafît xwedan rêjeyek berfirehbûna termalê kêmtir e, di dema guheztinên germahiyê de xetera stresa termal û deformasyonê kêm dike. Hêza bilind û serhişkiya keştiyên SiC di heman demê de wan kêmtir meyla şikestin û kişandinê dike, di encamê de dema domdar kêm dibe û di hilberîna nîvconductor de berberî zêde dibe.

Xelasî:
Keştiyên wafer ên silicon carbide, bi hêz û serhişkiya xwe ya pesindar, di pîşesaziya nîvconductor de wekî pêkhateyên domdar derketine holê. Kapasîteya wan a li hember şert û mercên dijwar, digel berxwedana wan a bilindtir, hilgirtina bi ewle ya waferên silicon di dema pêvajoyên hilberînê de misoger dike. Keştiyên wafer ên SiC berdewam dikin ku di ajotina mezinbûn û nûjeniya pîşesaziya nîvconductor de rolek girîng dileyzin.