Di warê teknolojiya elektronîkî ya îroyîn de, materyalên nîvconductor rolek girîng dilîzin.Di nav wan de, karbîdê silicon (SiC) wekî materyalek nîvconduktorê bendek fireh, digel avantajên performansa xweya hêja, wekî qada elektrîkê ya hilweşîna bilind, leza têrbûna bilind, gihandina germa bilind, hwd., hêdî hêdî dibe bal lêkolîner û endezyaran.Dîska epîtaksial a silicon carbide, wekî beşek girîng a wê, potansiyela serîlêdanê ya mezin nîşan da.
Performansa dîska epitaxial: avantajên tam
1. Zeviya elektrîkê ya hilweşîna ultra-bilind: li gorî materyalên siliconê yên kevneşopî, qada elektrîkê ya hilweşîna karbîdê silicon ji 10 carî zêdetir e.Ev tê vê wateyê ku di bin şert û mercên heman voltê de, cîhazên elektronîkî yên ku dîskên epîtaksial ên karbîd ên silicon bikar tînin dikarin li ber herikên bilindtir bisekinin, bi vî rengî amûrên elektronîkî yên voltaja bilind, frekansa bilind û hêza bilind biafirînin.
2. Leza têrbûna leza bilind: leza têrbûna karbîd a silicon ji 2 caran ji ya siliconê zêdetir e.Di germahiya bilind û leza bilind de xebitîn, dîska epîtaksial a karbîdê silicon çêtir dike, ku bi girîngî aramî û pêbaweriya amûrên elektronîkî çêtir dike.
3. Berbiçavbûna germî ya bilind: Germahiya germî ya karbîdê silicon ji 3 carî ji siliconê zêdetir e.Ev taybetmendî dihêle ku amûrên elektronîkî di dema xebata domdar a hêza bilind de germê çêtir belav bikin, bi vî rengî pêşî li germbûna zêde bigire û ewlehiya cîhazê baştir bike.
4. Îstîqrara kîmyewî ya hêja: di hawîrdorên giran ên wekî germahiya bilind, tansiyona bilind û radyasyona bihêz de, performansa karbîdê silicon hîn jî wekî berê aram e.Ev taybetmendî dihêle ku dîska epîtaksial a karbîd a silicon li ber hawîrdorên tevlihev performansa hêja biparêze.
二、pêvajoya çêkirinê: bi baldarî hatî xemilandin
Pêvajoyên sereke yên ji bo hilberîna dîska epîtaksial a SIC di nav de depokirina vaporê ya laşî (PVD), hilweşandina vapora kîmyewî (CVD) û mezinbûna epîtaksial in.Her yek ji van pêvajoyan taybetmendiyên xwe hene û ji bo bidestxistina encamên çêtirîn hewceyê kontrolek rastîn a parametreyên cihêreng hewce dike.
1. Pêvajoya PVD: Bi evaporation an sputtering û rêbazên din, hedefa SiC li ser substratê tê razandin da ku fîlimek çêbike.Fîlma ku bi vê rêbazê hatî amadekirin xwedan paqijiya bilind û krîstalbûnek baş e, lê leza hilberînê bi hêdî hêdî ye.
2. Pêvajoya CVD: Bi şikandina gaza çavkaniya silicon carbide di germahiya bilind de, ew li ser substratê tê razandin da ku fîlimek zirav çêbike.Qûrbûn û yekrengiya fîlima ku bi vê rêbazê hatî amadekirin têne kontrol kirin, lê paqijî û krîstalbûn nebaş e.
3. Mezinbûna epîtaksial: mezinbûna tebeqeya epîtaksial a SiC li ser silicona monokrîstalîn an jî materyalên din ên monokrîstalîn bi rêbaza depokirina buhara kîmyewî.Tebeqeya epîtaksial a ku bi vê rêbazê hatî amadekirin bi materyalê substratê re hevahengek baş û performansa xweş heye, lê lêçûn bi nisbetî zêde ye.
三、Hêviya serîlêdanê: Pêşerojê ronî bikin
Digel pêşkeftina domdar a teknolojiya elektronîkî ya hêzê û zêdebûna daxwaziya ji bo performansa bilind û amûrên elektronîkî yên pêbaweriya bilind, dîska epîtaksial a karbîdê silicon di hilberîna cîhaza nîvconductor de perspektîfek serîlêdanê ya berfireh heye.Ew bi berfirehî di çêkirina amûrên nîvconductor-hêza bilind-frekansa bilind de tê bikar anîn, wekî guheztinên elektronîkî yên hêzê, guhezbar, rastker, hwd. Ji bilî vê, ew di hucreyên rojê, LED û warên din de jî bi berfirehî tê bikar anîn.
Bi avantajên performansa xweya bêhempa û başkirina domdar a pêvajoya çêkirinê, dîska epîtaksial a silicon carbide hêdî hêdî potansiyela xwe ya mezin di qada nîvconductor de nîşan dide.Sedemên me hene ku em bawer bikin ku di pêşerojê de zanist û teknolojî dê rolek girîngtir bilîze.
Dema şandinê: Nov-28-2023