MOCVD Susceptor ji bo Mezinbûna Epitaxial

MOCVD Susceptor ji bo Mezinbûna Epitaxial ji hêla semicera ve, çareseriyek sereke ye ku ji bo xweşbînkirina pêvajoya mezinbûna epitaxial ji bo sepanên nîvconductor yên pêşkeftî hatî çêkirin. Semicera's MOCVD Susceptor kontrola rast li ser germahî û depokirina materyalê misoger dike, ku ew ji bo bidestxistina Si Epitaxy û SiC Epitaxy-a-kalîteya bilind hilbijarka îdeal dike. Avakirina wê ya zexm û guheztina germî ya bilind performansa domdar di hawîrdorên daxwazkar de peyda dike, pêbaweriya ku ji bo pergalên mezinbûna epitaxial hewce dike misoger dike.

Ev MOCVD Susceptor bi cûrbecûr sepanên epitaxial re hevaheng e, di nav de hilberîna Silicon Monocrystalline û mezinbûna GaN li ser SiC Epitaxy, ku ew ji bo hilberînerên ku li encamên jorîn digerin dikin pêkhateyek bingehîn. Wekî din, ew bi pergalên PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, û RTP Carrier re bêkêmasî dixebite, karûbar û hilberîna pêvajoyê zêde dike. The susceptor di heman demê de ji bo serîlêdanên LED Epitaxial Susceptor û pêvajoyên din ên hilberîna nîvconductorê yên pêşkeftî jî maqûl e.

Bi sêwirana xweya berfereh, susceptora MOCVD ya semicera dikare ji bo karanîna di Pancake Susceptors û Barrel Susceptors de were adaptekirin, di sazkirinên hilberîna cihêreng de nermbûnê peyda dike. Yekbûna Parçeyên Fotovoltaîk sepana wê hîn berfirehtir dike, û hem ji bo pîşesaziyên nîvconductor û hem jî ji bo tavê îdeal dike. Ev çareseriya bi performansa bilind aramî û domdariya germî ya hêja peyda dike, di pêvajoyên mezinbûna epitaxial de karbidestiya demdirêj peyda dike.