Berxwedana germahiya bilind, berxwedana cilê ya hişkbûna bilind, tîrêjê karbîdê silicon dikare were xweş kirin

(1) Berxwedana germahiya bilind, rêjeya piçûk a berfirehbûna germî
Silicon carbide di germên bilind de têne çêkirin.Di hin hawîrdora germahiya bilind de, pêdivî ye ku materyal xwedî hêzek pêvajoyek diyar be, û rastbûna pêvajoyê bicîh bîne, û seramîkên karbîd ên silicon dikarin van her du xalan bi dest bixin.Germahiya herî zêde ya karanîna karbîdê silicon bi qasî 800 ℃ e, û germahiya hilgirtina pola tenê 250 ℃ e.Ji hêla hesabkirina hişk ve, rêjeya berfirehbûna germî ya navînî ya SIC 4.4 × 10-6 / C di navbêna 25 ~ 1400 ℃ de ye.Rêjeya berfirehbûna germî ya SIC ji ya abrasiveyên din û materyalên germahiya bilind pir piçûktir e.Mînakî, rêjeya berfirehbûna germî ya korundum dikare bi qasî (7~8)× 10-6/℃ be.

(2) Germbûna germî ya bilind
Germbûna germî ya bilind a SIC taybetmendiyek din a girîng a taybetmendiyên wê yên laşî ye.Germiya germî ya karbîd silicon ji ya materyalên din ên rezîl û abrasive pir zêde ye, bi qasî 4 caran ji ya korundumê.Rêjeya berfirehbûna germî ya karbîd a silicon kêm e, guheztina germî ya bilind e, ku hilberên wê di pêvajoya germkirin û sarbûnê de di bin stresa germî ya kêmtir de çêdike, ku di heman demê de hilberên karbîd ên silicon berxwedana şoka termal jî sedemek baş e.

(3) Berxwedana korozyonê
Karbîd silicon ji ber xala helandinê (germahiya hilweşandinê), bêhêziya kîmyewî û berxwedana şoka termal bilind e, dikare ji bo cûrbecûr hilberên seramîk ên karbîd ên silicon were bikar anîn, wekî amûrên qirkirina firnê yên hilberên seramîk, plakaya tavan û sagger, şilandina zinc a pîşesaziya vertical. firna distilasyona silindirê ya bi kerba silîkonê karbîd, xêzika hucreya elektrolîtîk a aluminumê, xav, materyalê firna piçûk.