Semicera ji bo pêkhateyên cihêreng û hilgirên karbidên tantalum (TaC) yên pispor peyda dike.Pêvajoya pêvekirina pêşeng a Semicera dihêle ku pêlên karbîd tantalum (TaC) bigihîjin paqijiya bilind, aramiya germahiya bilind û tolerasyona kîmyewî ya bilind, kalîteya hilberê ya krîstalên SIC / GAN û qatên EPI çêtir dike (Sûseptorê TaC bi grafîtê pêçandî), û dirêjkirina jiyana pêkhateyên sereke yên reaktorê. Bikaranîna pêlava karbîd a tantalum TaC ji bo çareserkirina pirsgirêkê û baştirkirina kalîteya mezinbûna krîstal e, û Semicera pêşkeftina teknolojiya pêlava karbîd a tantalum (CVD) çareser kiriye, ku gihîştiye asta pêşkeftî ya navneteweyî.
bi û bê TaC
Piştî bikaranîna TaC (rast)
Digel vê yekê, jiyana karûbarê hilberên pêvekirina TaC ya Semicera ji ya pêlava SiC ji germahiya bilind dirêjtir û berxwedêrtir e. Piştî demek dirêj daneyên pîvandina laboratîfê, TaC me dikare ji bo demek dirêj herî zêde 2300 pileya Celsius bixebite. Li jêr çend nimûneyên me hene:
(a) Diyagrama şematîkî ya cîhaza mezinbûna lingê yek krîstal a SiC ya bi rêbaza PVT (b) Bûka tovê pêça TaC ya jorîn (tovê SiC jî tê de) (c) zengila rêberê grafîtê bi TAC-ê vegirtî
-
Hilgira keştiya krîstal a silicon carbide ya paqijiya bilind…
-
Laser teknolojiya pêşkeftî ya LMJ microjet peyda bikin ...
-
EPI 3 1/4″ Bermîl Reaktor
-
Materyalên zeviyê germî ji bo qêrîna karbîdê silicon ...
-
Sûsceptorê grafît bi pêlava silicon carbide...
-
Pêşkêşkirina hilberandinê Taybetmendiyên cihêreng di hi ...