Ji bo MOCVD Hêmanên Germkirinê yên pêvekirî yên silicon carbide

Ji bo Wêneya Taybetmendî ya MOCVD-ê Hêmanên Germkirinê yên pêvekirî yên silicon carbide

Kurte Danasîn:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. dabînkerek pêşeng e ku pisporê wafer û xercên nîvconductor yên pêşkeftî ye.Em ji bo hilberîna nîvconductor hilberên kalîteya bilind, pêbawer û nûjen peyda dikin,pîşesaziya fotovoltaîkû qadên din ên têkildar.

Rêzeya hilberê me hilberên grafît û hilberên seramîk ên pêçandî yên SiC/TaC vedihewîne, ku materyalên cihêreng ên wekî karbîd silicon, nîtrîd silicon, û oxide aluminium û hwd vedihewîne.

Wekî dabînkerek pêbawer, em girîngiya xerckirinê di pêvajoya hilberînê de fam dikin, û em pêbawer in ku hilberên ku standardên kalîteya herî bilind bicîh bînin da ku hewcedariyên xerîdarên xwe bicîh bînin.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Taybetmendiyên sereke yên germkirina grafît:

1. yekrengiya avahiya germkirinê.

2. veguhestina elektrîkê ya baş û barkirina elektrîkê ya bilind.

3. berxwedana korozyonê.

4. inoxidizability.

5. paqijiya kîmyewî ya bilind.

6. hêza mekanîk bilind.

Avantaja enerjiyê, nirxa bilind û xwedîkirina kêm e. Em dikarin antî-oksîdasyon û kelûmelê grafît, qalibê grafît û hemî beşên germkerê grafît hilberînin.

Parametreyên sereke yên germkirina grafît

Specification Teknîkî	VET-M3
Kûrahiya gir (g/cm3)	≥1.85
Naveroka Ash (PPM)	≤500
Shore Hardness	≥45
Berxwedana Taybet (μ.Ω.m)	≤12
Hêza Flexural (Mpa)	≥40
Hêza Pêkêşî (Mpa)	≥70
Max. Mezinahiya genim (μm)	≤43
Rêjeya Berfirehbûna Termal Mm/°C	≤4.4*10-6