Materyalên Rawê yên CVD SiC yên Paqijiya Bilind ji hêla Semicera ve materyalek pêşkeftî ye ku ji bo karanîna di serîlêdanên performansa bilind de hatî çêkirin ku hewceyê aramiya germî, serhişkî û taybetmendiyên elektrîkî yên awarte hewce dike. Ev maddeya xav ji karbîda siliconê depokirina buhara kîmyewî ya bi kalîte (CVD) hatî çêkirin, ev maddeya xav paqijî û domdariyek bilind peyda dike, ku ew ji bo çêkirina nîvconductor, cil û bergên germahiya bilind, û sepanên din ên pîşesaziyê yên rastîn îdeal dike.
Madeya Rawê ya CVD SiC ya Paqijiya Bilind a Semicera ji ber berxwedana xweya hêja ya li ber xişandin, oksîdasyon û şoka termal tê zanîn, ku performansa pêbawer tewra di hawîrdorên herî daxwazî de jî peyda dike. Çi di hilberîna amûrên nîvconductor de, amûrên abrasive, an pêlên pêşkeftî de têne bikar anîn, ev materyal bingehek zexm ji bo serîlêdanên performansa bilind ên ku standardên herî bilind ên paqijî û rastbûnê daxwaz dikin peyda dike.
Bi Semicera's Paqijiya Bilind a CVD SiC Raw Material, hilberîner dikarin kalîteya hilber û karbidestiya xebitandinê bi dest bixin. Ev maddî gelek pîşesaziyan piştgirî dike, ji elektronîkî bigire heya enerjiyê, domdarî û performansa ku ji yekê re ne duyemîn e pêşkêşî dike.
Materyalên xav ên karbîdê siliconê CVD-ya paqijiya bilind-paqijiya Semicera xwedî taybetmendiyên jêrîn in:
▪Paqijiya bilind:naveroka nepakî ya pir kêm, pêbaweriya cîhazê misoger dike.
▪Krîstalîniya bilind:avahiya krîstal a bêkêmasî, ku ji bo baştirkirina performansa cîhazê dibe alîkar.
▪Kêmbûna kêmasiyê:hejmareke piçûk a kêmasiyan, kêmkirina heyama leaksiyonê ya cîhazê kêm dike.
▪Mezinahiya mezin:substratên karbîd silicon-a-size mezin dikarin bêne peyda kirin da ku hewcedariyên xerîdarên cûda bicîh bînin.
▪Xizmeta xwerû:celeb û taybetmendiyên cûda yên materyalên karbîd ên silicon dikarin li gorî hewcedariyên xerîdar bêne xweş kirin.
Avantajên Product
▪ Bandgap Berfireh:Silicon carbide xwedan taybetmendiyek bandgapek berfireh e, ku dihêle ku ew di hawîrdorên dijwar ên wekî germahiya bilind, tansiyona bilind, û frekansa bilind de performansa hêja hebe.
▪Voltaja hilweşîna bilind:Amûrên karbîd ên silicon xwedan voltaja hilweşînê ya bilindtir in û dikarin amûrên hêza bilindtir çêbikin.
▪Germbûna germî ya bilind:Silicon carbide xwedan guheztina germî ya hêja ye, ku ji belavbûna germê ya cîhazê re dibe alîkar.
▪Tevgera elektronek bilind:Amûrên karbîd ên silicon xwedan tevgerek elektronek bilindtir in, ku dikare frekansa xebitandinê ya cîhazê zêde bike.
