CVD SiC Etching Ring ji Semicera, çareseriyek pêşîn a ku ji bo pêvajoyên hilberîna nîvconductorê yên pêşkeftî hatî çêkirin. Zengên meyên xêzkirinê bi pisporî hatine çêkirin da ku performansa serê serşokê CVD SiC zêde bikin, ku di dema pêvajoya belavbûnê de encamên çêtirîn misoger dike. Bi avakirina xweya zexm û endezyariya rastîn, van zengil pêbawerî û karbidestiya ku ji bo serîlêdanên zuwa-kalîteya bilind hewce dike peyda dikin.
Li Semicera, em rola krîtîk a ku karbîdê silicon di teknolojiya nîvconductor de dilîze fêm dikin. Zencîreyên meyên xêzkirina CVD SiC bi taybetî hatine sêwirandin ku pêvajoyên cihêreng bicîh bikin, di nav de MOCVD û teknîkên din ên etching. Pêkhatina SiC ya zexm aramiya germî û berxwedana kîmyewî ya hêja garantî dike, ku zengilên me yên xêzkirinê ji bo hawîrdorên herî daxwazî bijarkek bijare dike.
Pabendbûna me ya ji nûbûn û kalîteyê re piştrast dike ku her zengila xêzkirina CVD SiC standardên pîşesaziyê yên herî bilind pêk tîne. Semicera ji bo çareseriyên xweya xêzkirinê hilbijêrin û performansa bêhempa û domdariya ku li gorî hewcedariyên weyên yekta hatine çêkirin ezmûn bikin. Bi pisporiya me ya di serşokên SiC û teknolojiya etching de, em li vir in ku di warê nîvconductor de serkeftina we piştgirî bikin.
Di qada semiconductor de, aramiya her pêkhateyê ji bo tevahiya pêvajoyê pir girîng e. Lêbelê, di hawîrdorek germahiya bilind de, grafît bi hêsanî tê oksîdan û windakirin, û pêlava SiC dikare ji bo parçeyên grafît parastinek domdar peyda bike. DiSemiceratîmê me, alavên me yên hilberandina paqijkirina grafîtê hene, ku dikarin paqijiya grafîtê li jêr 5ppm kontrol bikin. Paqijiya pêlava karbîd a silicon jî di binê 5ppm de ye.
✓Di bazara Chinaînê de kalîteya bilind
✓Xizmeta baş her dem ji bo we, 7*24 demjimêran
✓Dîroka radestkirinê ya kurt
✓ MOQ piçûk bi xêr hatî û qebûl kirin
✓Xizmetên xwerû
