-
Pêvajoya Hilberîna Semiconductor - Teknolojiya Etch
Bi sedan pêvajo hewce ne ku waferek bibe nîvconductor. Yek ji wan pêvajoyên herî girîng xêzkirin e - ango, xêzkirina qalibên çerxa xweşik li ser waferê. Serkeftina pêvajoya etchingê bi rêvebirina guhêrbarên cihêreng di nav rêzek dabeşkirinê de ve girêdayî ye, û her etching ...Zêdetir bixwînin -
Materyalên îdeal ên ji bo zengilên Focusê di Amûrên Etching Plasma de: Silicon Carbide (SiC)
Di alavên etching plasma de, hêmanên seramîk rolek girîng dileyzin, tevî zengila balê. Zengala balê, ku li dora waferê tê danîn û rasterast pê re têkiliyek heye, ji bo balkişandina plazmayê li ser waferê bi sepandina voltaja li ser zengilê pêdivî ye. Ev yek zêde dike...Zêdetir bixwînin -
Bandora hilberandina karbîd a silicon yek krîstal li ser kalîteya rûbera waferê
Amûrên hêza nîvconductor di pergalên elektronîkî yên hêzê de pozîsyonek bingehîn digirin, nemaze di çarçoveya pêşkeftina bilez a teknolojiyên wekî îstîxbarata sûnî, ragihandina 5G û wesayîtên enerjiya nû de, pêdiviyên performansê ji bo wan hatine ...Zêdetir bixwînin -
Materyalên bingehîn ên ji bo mezinbûna SiC: Kişandina karbîdê Tantalum
Heya nuha, nifşa sêyemîn a nîvconductors ji hêla karbîd silicon ve serdest e. Di strûktûra lêçûnên amûrên wê de, substrate% 47% û epitaxy% 23 pêk tê. Her du bi hev re bi qasî 70%, ku beşa herî girîng a hilberîna cîhaza karbîd a silicon e ...Zêdetir bixwînin -
Berhemên pêçandî yên karbîdên tantalum çawa berxwedana korozyonê ya materyalan zêde dikin?
Kişandina karbîdê Tantalum teknolojiyek dermankirina rûxê ya bi gelemperî tête bikar anîn ku dikare bi girîngî berxwedana korozyonê ya materyalan baştir bike. Pîvana karbîd a tantal dikare bi awayên cûda yên amadekirinê, wek vegirtina buhara kîmyewî, fizîkî, bi rûyê substratê ve were girêdan.Zêdetir bixwînin -
Duh, Desteya Nûjeniya Zanist û Teknolojiyê daxuyaniyek da ku Huazhuo Precision Technology IPO-ya xwe qedand!
Tenê radestkirina yekem alavên 8-inch SIC-ê ya lazerê li Chinaînê ragihand, ku di heman demê de teknolojiya Tsinghua ye; Çima wan bi xwe malzemeyên vekişandin? Tenê çend gotin: Yekem, hilber pir cihêreng in! Di nihêrîna pêşîn de, ez nizanim ew çi dikin. Niha H...Zêdetir bixwînin -
CVD silicon carbide coating-2
CVD Kişandina karbîd a silicon 1. Çima pêçek karbîd a silicon heye Tebeqeya epîtaksial fîlimek tenik a yek krîstal e ku di pêvajoya epîtaksial de li ser bingeha waferê mezin dibe. Vafera substratê û fîlima tenik a epîtaksial bi hev re jê re waferên epîtaksîal tê gotin. Di nav wan de, ji...Zêdetir bixwînin -
Pêvajoya amadekirina kişandina SIC
Heya nuha, awayên amadekirina pêlava SiC bi piranî rêbaza gel-sol, rêbaza vegirtinê, rêbaza pêlêdana firçeyê, rêbaza rijandina plasma, rêbaza reaksiyona vapora kîmyewî (CVR) û rêbaza depokirina buhara kîmyewî (CVD) pêk tê. Rêbaza vegirtinêEv rêbaz celebek qonaxa zexm a germahiya bilind e ...Zêdetir bixwînin -
CVD Silicon Carbide Coating-1
CVD SiC Çi ye Depokirina vaporê ya kîmyewî (CVD) pêvajoyek hilanîna valahiya ye ku ji bo hilberîna materyalên zexm ên paqijiya bilind tê bikar anîn. Ev pêvajo bi gelemperî di qada hilberîna nîvconductor de tê bikar anîn da ku li ser rûyê waferan fîlimên zirav çêbike. Di pêvajoya amadekirina SiC-ê de ji hêla CVD ve, substrate tê berfireh kirin ...Zêdetir bixwînin -
Analîzkirina strukturên veqetandinê di krîstala SiC-ê de ji hêla simulasyona şopandina tîrêjê ve ku ji hêla wênekêşiya topolojîk a tîrêjê ve tê arîkar kirin
Paşnava lêkolînê Girîngiya serîlêdanê ya karbîda silicon (SiC): Wekî materyalek nîvconduktorê bandgapek fireh, karbîdê silicon ji ber taybetmendiyên xwe yên elektrîkî yên hêja (wekî bandgap mezintir, leza têrbûna elektronek bilind û gihandina germê) pir bal kişandiye. Ev pêgir...Zêdetir bixwînin -
Pêvajoya amadekirina krîstalê ya tovê di mezinbûna yek krîstal a SiC de 3
Verastkirina MezinbûnêKrîstalên tovê silicon carbide (SiC) li dû pêvajoya diyarkirî hatin amadekirin û bi mezinbûna krîstala SiC ve hatin pejirandin. Platforma mezinbûnê ya ku hatî bikar anîn firna mezinbûna inductionê ya SiC-ya xwe-pêşkeftî bû ku bi germahiya mezinbûnê ya 2200℃, zextek mezinbûnê ya 200 Pa, û mezinbûnek ...Zêdetir bixwînin -
Pêvajoya Amadekirina Krîstala Tovê di Mezinbûna SiC Krîstalê de (Beş 2)
2. Pêvajoya Ezmûnî 2.1 Çêkirina Fîlma Adhesive Hat dîtin ku rasterast çêkirina fîlimek karbonê an girêdana bi kaxeza grafîtê ya li ser pêlavên SiC yên bi zeliqandî ve girêdayî bû sedema çend pirsgirêkan: 1. Di bin şert û mercên valahiya de, fîlima adhesive ya li ser waferên SiC ji ber ku xuyangek mîna pîvanê çêkir. îmzekirin...Zêdetir bixwînin