-
Vekirina Taybetmendiyên Berfereh ên Germkirina Graphite
Germên grafîtê ji ber taybetmendiyên xwe yên awarte û piralîûçalakiya xwe di nav pîşesaziyên cihêreng de wekî amûrên domdar derketine. Ji laboratîfan bigire heya mîhengên pîşesaziyê, van germkeran di pêvajoyên ji senteza materyalê heya teknîkên analîtîk de rolek girîng dilîzin. Di nav cûrbecûr ...Zêdetir bixwînin -
Ravekirina hûrûkûr awantaj û dezawantajên etching hişk û şil
Di hilberîna nîvconduktorê de, di dema hilberandina substratek an fîlimek zirav a ku li ser substratê hatî çêkirin de teknîkek bi navê "etching" heye. Pêşkeftina teknolojiya etching di pêkanîna pêşbîniya ku ji hêla damezrînerê Intel Gordon Moore di sala 1965-an de hatî çêkirin de rolek lîstiye ku "...Zêdetir bixwînin -
Rakirina Berbiçavbûna Germiya Bilind û Stêra Stêrk a Germên Silicon Carbide
Germên silicon carbide (SiC) di pîşesaziya nîvconductor de di pêşengiya rêveberiya germî de ne. Ev gotar karbidestiya germî ya awarte û aramiya berbiçav a germkerên SiC vedikole, ronahiyê dide rola wan a girîng di dabînkirina performansa çêtirîn û pêbaweriya di nîvkonê de…Zêdetir bixwînin -
Lêgerîna Taybetmendiyên Hêza Bilind û Zehmetiya Bilind a Keştiyên Wafer ên Silicon Carbide
Keştiyên wafer ên silicon carbide (SiC) di pîşesaziya nîvconductor de rolek girîng dileyzin, hilberîna amûrên elektronîkî yên bi kalîte hêsan dike. Ev gotar li taybetmendiyên berbiçav ên keştiyên wafer SiC vedigere, balê dikişîne ser hêz û hişkiya wan a awarte, û nîşana wan ronî dike ...Zêdetir bixwînin -
Performansa Bêkêmasî ya Keştiyên Wafer ên Silicon Carbide di Mezinbûna Krîstal de
Pêvajoyên mezinbûna krîstal di dilê çêkirina nîvconductor de ne, ku li wir hilberîna waferên kalîteya bilind girîng e. Di van pêvajoyan de pêkhateyek yekgirtî keştiya waferê ya silicon carbide (SiC) ye. Keştiyên wafer ên SiC di pîşesaziyê de ji ber ku ji bilî…Zêdetir bixwînin -
Di Zeviyên Termîkî yên Firna Yek-Krîstal de Germkirina Germahiya Grafîtê ya Berbiçav
Di warê teknolojiya firna yek-krîstal de, bikêrhatî û rastbûna rêveberiya termal girîng e. Di mezinbûna krîstalên yek-kalîteya bilind de bidestxistina yekrengî û aramiya germahiya çêtirîn girîng e. Ji bo çareserkirina van pirsgirêkan, germkerên grafîtê wekî amûrek berbiçav derketine ...Zêdetir bixwînin -
Di Pîşesaziya Semiconductor de Stability Thermal Components Quartz
Destpêk Di pîşesaziya nîvconductor de, aramiya germî ji bo misogerkirina xebata pêbawer û bikêrhatî ya pêkhateyên krîtîk pir girîng e. Quartz, formek krîstal a silicon dioxide (SiO2), ji bo taybetmendiyên xwe yên aramiya germî ya awarte nasnameyek girîng bi dest xistiye. T...Zêdetir bixwînin -
Di Pîşesaziya Semiconductor de Berxwedana Korozyonê ya Kevirên Karbide Tantalum
Sernav: Di Pîşesaziya Semiconductor de Berxwedana Korozyonê ya Kevirên Karbîdên Tantalum Destpêk Di pîşesaziya nîvconductor de, korozyon ji dirêjahî û performansa pêkhateyên krîtîk re pirsgirêkek girîng çêdike. Kincên karbîdên Tantalum (TaC) wekî çareseriyek sozdar derketine ...Zêdetir bixwînin -
Meriv çawa berxwedana pelê ya fîlimek zirav bipîve?
Fîlmên zirav ên ku di hilberîna nîvconductor de têne bikar anîn hemî berxwedan hene, û berxwedana fîlimê rasterast bandorek li ser performansa cîhazê dike. Em bi gelemperî berxwedana bêkêmasî ya fîlimê napîvin, lê berxwedana pelê bikar tînin da ku wê diyar bikin. Berxwedana pelê û berxwedanê ya voltê çi ne ...Zêdetir bixwînin -
Ma serîlêdana pêlava karbîd a silicon CVD dikare bi bandor jiyana xebatê ya pêkhateyan baştir bike?
Çêkirina karbîd a silicon CVD teknolojiyek e ku li ser rûyê pêkhateyan fîlimek zirav çêdike, ku dikare pêkhateyan xwedan berxwedana cilê, berxwedana korozyonê, berxwedana germahiya bilind û taybetmendiyên din be. Van taybetmendiyên hêja pêlavên karbîd ên silicon CVD bi berfirehî dikin ...Zêdetir bixwînin -
Ma pêlên karbîd silicon CVD xwedan taybetmendiyên şilkirinê yên hêja ne?
Erê, pêlavên karbîdê silicon CVD xwedan taybetmendiyên şilkirinê yên hêja ne. Damping behsa şiyana heyberê dike ku enerjiyê belav bike û mezinahiya vibrasyonê kêm bike dema ku ew dikeve ber lerizîn an bandorê. Di gelek sepanan de, taybetmendiyên damping pir girîng in ...Zêdetir bixwînin -
Silicon carbide semiconductor: pêşerojek jîngehê û bikêrhatî
Di warê materyalên nîvconductor de, karbîdê silicon (SiC) wekî berendamek hêvîdar ji bo nifşa paşîn a nîvconduktorên bikêr û hawirdorparêz derketiye holê. Bi taybetmendî û potansiyela xwe ya bêhempa, nîvconduktorên karbîd ên silicon rê li ber domdartir vedike…Zêdetir bixwînin