-
Tantalum Carbide çi ye?
Karbîd tantal (TaC) pêkhateyeke dualî ya tantal û karbonê ye bi formula kîmyewî TaC x, ku x bi gelemperî di navbera 0,4 û 1 de diguhere. Ew materyalên seramîk ên pir hişk, şikestî, rezîl in û bi gihandina metalî ne. Ew tozên qehweyî-gewr in û em in...Zêdetir bixwînin -
karbîd tantalum çi ye
Tantalum carbide (TaC) materyalek seramîk a germahiya ultra-bilind e ku bi berxwedana germahiya bilind, dendika bilind, tevliheviya bilind e; paqijiya bilind, naveroka nepaqijiyê <5PPM; û bêhêziya kîmyewî ji ammonia û hîdrojenê re di germahiyên bilind de, û aramiya germî ya baş. Bi navê ultra-bilind ...Zêdetir bixwînin -
epitaxy çi ye?
Pir endezyar bi epitaxy nizanin, ku di çêkirina cîhaza nîvconductor de rolek girîng dilîze. Epitaxy dikare di hilberên çîpên cihêreng de were bikar anîn, û hilberên cihêreng xwedan celebên epîtaksî ne, di nav de Si epitaxy, epitaxy SiC, epitaxy GaN, hwd. Epitaxy çi ye?Zêdetir bixwînin -
Parametreyên girîng ên SiC çi ne?
Silicon carbide (SiC) materyalek nîvconduktorê ya bandgap a girîng e ku bi berfirehî di amûrên elektronîkî yên bi hêz û frekansa bilind de tê bikar anîn. Li jêr çend parametreyên sereke yên waferên karbîd ên silicon û ravekirinên wan ên berfireh hene: Parametreyên Latê: Piştrast bikin ku ...Zêdetir bixwînin -
Çima pêdivî ye ku silicon yek krîstal were rijandin?
Rollkirin tê wateya pêvajoya rijandina tîrêjê derve yê çîçeka yek krîstal a sîlîkonê di nav çîçeka krîstal a yekbûyî ya bi pîvana pêwîst de bi karanîna çerxek hûrkirina almasê, û rijandina rûyek referansê ya qeraxek zevî an hêlînek pozîsyona tîrêja yek krîstal. Rûbera rûbera derve ...Zêdetir bixwînin -
Pêvajoyên Ji bo Hilberandina Powderên SiC-Qalîteya Bilind
Silicon carbide (SiC) pêkhateyek neorganîk e ku bi taybetmendiyên xwe yên awarte tê zanîn. SiC ya xwezayî, ku wekî moissanite tê zanîn, pir kêm e. Di sepanên pîşesaziyê de, karbîda silicon bi piranî bi rêbazên sentetîk tê hilberandin. Li Semicera Semiconductor, em teknîka pêşkeftî bikar tînin ...Zêdetir bixwînin -
Kontrolkirina yekrengiya berxwedana radîkal di dema kişandina krîstal de
Sedemên sereke yên ku bandorê li yekrengiya berxwedêriya radîkal a krîstalên tekane dikin, şûştina navbera hişk-avî û bandora balafira piçûk a di dema mezinbûna krîstal de ne. , ya...Zêdetir bixwînin -
Çima firna yek krîstal qada magnetîkî dikare qalîteya yek krîstal çêtir bike
Ji ber ku kevçî wekî konteynir tê bikar anîn û di hundurê de veguheztinek heye, ji ber ku mezinahiya krîstala yekbûyî ya hatî hilberandin zêde dibe, veguheztina germahiyê û yekrengiya gradana germahiyê kontrolkirina dijwartir dibe. Bi lêzêdekirina qada magnetîkî ji bo ku helîna guhêrbar li ser hêza Lorentz tevbigere, vekêşîn dikare bibe ...Zêdetir bixwînin -
Zêdebûna bilez a krîstalên SiC bi karanîna çavkaniya mezin a CVD-SiC bi rêbaza sublimasyonê
Mezinbûna Bilez a SiC Krîstala SiC Bi Bikaranîna Çavkaniya Mezin a CVD-SiC bi Rêbaza Sublimasyonê Bi karanîna blokên CVD-SiC yên ji nû ve vezîvirandin wekî çavkaniya SiC bikar tîne, krîstalên SiC bi rêjeya 1,46 mm / h bi rêbaza PVT bi serfirazî mezin bûn. Mîkroborîka krîstalê ya mezinbûyî û dendikên veqetandinê destnîşan dikin ku de ...Zêdetir bixwînin -
Naveroka Optimîzekirî û Wergerandî li ser Amûrên Mezinbûna Epitaxial Silicon Carbide
Substratên silicon carbide (SiC) gelek kêmasiyên xwe hene ku pêşî li pêvajoya rasterast digire. Ji bo afirandina çîpên çîp, pêdivî ye ku fîlimek yek-krîstal a taybetî li ser substrata SiC bi pêvajoyek epitaxial were mezin kirin. Ev fîlim wekî qata epîtaksial tê zanîn. Hema hema hemî amûrên SiC li ser epitaxial têne fêm kirin ...Zêdetir bixwînin -
Rola Girîng û Bûyerên Serlêdanê yên Susceptorên Grafîtê yên SiC-Pêvekirî di Hilberîna Nîvconductor de
Semicera Semiconductor plan dike ku hilberîna hêmanên bingehîn ji bo alavên hilberîna nîvconductor li seranserê cîhanê zêde bike. Heya sala 2027-an, em armanc dikin ku bi veberhênana 70 mîlyon USD kargehek nû ya 20,000 metreçargoşe ava bikin. Yek ji hêmanên me yên bingehîn, karbîda silicon (SiC) wafer carr ...Zêdetir bixwînin -
Çima em hewce ne ku epîtaksiyê li ser substratên waferê silicon bikin?
Di zincîra pîşesaziya nîvconduktorê de, nemaze di zincîra pîşesaziya nîv-conductor-a nifşa sêyemîn de (nîv-conductor bandgap berfireh), substrat û qatên epîtaksial hene. Girîngiya qata epîtaksial çi ye? Cûdahiya di navbera substrate û substratê de çi ye? Binstr...Zêdetir bixwînin